1.3.0 パルステクニック
リニアースイープテクニックの不利な点の１つはバッククラウンド（容量性電流）電流の存在です。そのためこれらのテクニックを濃度の定量に使うことは、得策ではありません。
検出限界はこのバックグラウンド電流によって影響されます。
すべてのパルステクニックの基礎は、ポテンシャルステップ後のバックグラウンド電流とファラデー電流の減衰速度に差があることです。 バックグラウンド電流は指数関数的に減衰し、一方、ファラデー電流は1/（time）1/2 の関数として減衰します。即ち、バックグラウンド電流の減衰速度はファラデー電流の減衰よりかなり速いのです。 バックグラウンド電流はポテンシャルステップ後、 5RuCdl 時において無視できます。（RuCdlは電気化学セルの時定数でµ s 〜 ms 範囲になります）それゆえ、この時間後は、測定電流はファラデー電流だけと見做すことができるようになります。
- パルステクニックの重要な変数は次の通りです。
- a. パルス振幅はポテンシャルパルスの高さで、mV 表示です。
- b. パルス幅はポテンシャルパルスの継続時間で、msec 表示です。
- c. サンプル幅は電流が測定されるパルスの経過時間（msec）です。
少なくともパルス幅より3msec 短くなければなりません（3msec は容量性電流がゼロに減衰するために必要です)。電流はmsec 当たり16 回サンプリングされ平均されます。サンプル時間のデフォルト値は17msec です。つまり、これは商用電源(60Hz)の1 サイクル~の時間です（従ってラインノイズは平均化してゼロになります）。
- d. パルス間隔/ 滴下時間-これは１ポテンシャルサイクル（msec）に必要とされる時間であり、少なくともパルス幅の二倍でなければなりません。パルス間隔がボルタンメトリー実験に使われ、滴下時間はポーラログラフィー実験、ポテンシャルパルス、電流サンプリングと水銀滴の滴下は相互連関しています。
ポテンシャルパルス波形とサンプリング時間数が異なった、3 つのパルステクニックを紹介します。バックグラウンド電流を除去できることが、向上した感度と低い検出下限とあいまって（リニアースイープテクニックと比較して）、これらの方法を濃度の定量の理想的なテクニックにしています。
1.3.1 階段波ボルタンメトリー(SCV)
直流ポーラログラフィー実験の改良版で、水銀滴の表面積の変化の効果を減少するように設計さ れています。ポテンシャル波形を図10 に示します。ポテンシャルは一定のステップで変化します（滴下時間サイクルと完全に同期させます）。電流は各々の滴下の終了時にサンプリングされます。滴下時間とステップのサイズを種々の値に設定できます。 このポテンシャル波形は時には階段波形とも言います。
電流応答は図11 に示します。限界電流（id）はllkovic 式によって与えられます。
SCV の感度と検出限界は直流ポーラログラフィー（5 µ A /mM,10-5 Ｍ）に類似しています。直流ポーラロに対するSCP の主要な利点はスムージングされた電流出力で、そのため半波電位と限界電流の測定が容易になります。これは本質的にはポーラログラフィーテクニックですが、低スキャン速度ボルタンメトリーテクニックとして使えます。この改良版は階段状ボルタンメトリーと呼ばれます。
