2.2.微小くし形電極の作製
微小くし形電極の作製工程（概略）を図１に示す。
基板として３インチの酸化膜付きシリコンウエハー基板を使用し、まず、基板上にフォトレジストをコートし、マスクを重ねて紫外線露光、アルカリ現像を行ないくし形電極パタンを形成した（Ａ）。次にこの基板をスパッタ装置に入れクロム及び金を順に堆積させる（Ｂ）。
更に、有機溶媒中でレジストを溶解させ、レジスト上の不要な金属を剥離して（リフトオフ）くし形電極パタンを得る（Ｃ）。このパタン全面を絶縁膜で覆い、リード部分など絶縁膜で覆う必要のある部分に再びフォトレジストパタンを形成し（Ｄ）、レジストに覆われていない絶縁膜を電極部分が露出するまでドライエッチングしてくし形電極を得ることができる（Ｅ）。
一方、基板全面を最初に電極材料の薄膜で覆った後、エッチング法により加工するプロセスを用いると、還元側での電位窓が広い炭素薄膜やＩＴＯ（透明電極）など低温での膜作製が困難な材料も容易に微小電極に加工することができる11。
図1.微小くし形電極の作製工程（概略）
（※販売しているくし形電極は、改良などにより異なる部分がございます）
（※販売しているくし形電極は、改良などにより異なる部分がございます）
